Транзистор: N-MOSFET; 100В; 320А; Idm: 320А; 1кВт; D3PAK,TO268; 98нс

Немає в наявності
Код товару: IXFT320N10T2-TRL
800,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 400
Крок додавання: 400
Код товару: IXFT320N10T2-TRL
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 154нКл
Корпус: D3PAK; TO268
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 7,5мОм
Потужність розсіювання: 1кВт
Струм стока: 320А
Струм стоку в імпульсі: 320А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 98нс
Недоступний
Резистор: thin film; 38,3Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 38,3Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

5,89 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 160кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 160кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; 200В; -55÷155°C

1,48 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Манометр; 0÷2,5бар; Клас: 1,6; 100мм; Темп: -20÷60°C; сталь; 111.12
Манометр; 0÷2,5бар; Клас: 1,6; 100мм; Темп: -20÷60°C; сталь; 111.12

0,00 грн

Вимір:
тиску
Властивості вимірювальних приладів:
заднє положення датчика
Діаметр:
100мм
Діапазон вимірювання тиску:
0...2,5бар
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,9пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,44 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,9пФ
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 9ВDC; DIP8; THT
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 2,97÷3,63ВDC; Uвих: 9ВDC; DIP8; THT

191,33 грн

Вихідна напруга:
9В DC
Вхідна напруга:
2,97...3,63В DC
Зовнішні розміри:
12,7x10,2x6,9мм
Кількість виходів:
1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,18пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,18пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,18пФ
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 6А; Полюси: 3+N
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 6А; Полюси: 3+N

2180,06 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Властивості вимикачів:
оптичний індикатор спрацьовування
Діаметр з'єднуючих шин:
0,8...2мм
Електрична стійкість:
10000 цикли
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD