Транзистор: N-MOSFET; 100В; 60А; 35Вт; HSOP8

Немає в наявності
Код товару: RS1P600BHTB1
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 38
Код товару: RS1P600BHTB1
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 32нКл
Корпус: HSOP8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 8,8мОм
Потужність розсіювання: 35Вт
Струм стока: 60А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,5пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,5пФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; data; PIN: 25; soldering,THT
Connector: pin strips; pin header; data; PIN: 25; soldering,THT

1499,48 грн

Connector family:
data
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT; паяння
Загальна довжина:
21,1мм
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; ±20%; M; 4,45x4x1,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 4,7мкГн; ±20%; M; 4,45x4x1,8мм

10,71 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
4,7мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
4,45x4x1,8мм
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 6,67÷7,37В; 58,3А; односпрямована; ±5%; SMBJ
Діод: TVS; 600Вт; 6,67÷7,37В; 58,3А; односпрямована; ±5%; SMBJ

9,50 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 38; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 38; THT; straight

36,74 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206; 180мм

1,15 грн

Alias:
KGM31BR71H393KT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD

119,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK

70,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
48нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 56А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 56А; 200Вт; D2PAK

182,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
D2PAK