1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; 150В; 76А; 350Вт; D2PAK,TO263; 69нс

Транзистор: N-MOSFET; 150В; 76А; 350Вт; D2PAK,TO263; 69нс
Немає в наявності
Код товару: IXFA76N15T2-TRL
182,46 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: IXFA76N15T2-TRL
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 97нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 150В
Опір в стані провідності: 22мОм
Потужність розсіювання: 350Вт
Струм стока: 76А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 69нс
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 0,768кБ; 4МГц; ICSP,RS232; SMD; PIC12; туба
IC: мікроконтролер PIC; 0,768кБ; 4МГц; ICSP,RS232; SMD; PIC12; туба

39,28 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
PoR; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
ICSP; RS232
Кількість входів/виходів:
6
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 43,2Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 43,2Ом; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

12,42 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А

4406,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
90В
Струм стока:
12А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8

11,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23