Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 2А; 86Вт; DPAK,TO252AA; 800нс

Немає в наявності
Код товару: IXTY2N100P-TRL
92,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IXTY2N100P-TRL
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 24,3нКл
Корпус: DPAK; TO252AA
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 7,5Ом
Потужність розсіювання: 86Вт
Струм стока: 2А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 800нс
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 40; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 40; THT; 1.5A

845,16 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Marker: cable-heat shrinkable; white; thin walled
Marker: cable-heat shrinkable; white; thin walled

562,60 грн

Діаметр після усадження:
3мм
Застосування складських аксесуарів:
для маркування проводів і кабелів
Коефіцієнт усадження:
3:1
Колір:
білий
Недоступний
Резистор: thick film; 68кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; -55÷155°C

1,36 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 03015; 2нГн; 1100мА; R: 0,03Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 03015; 2нГн; 1100мА; R: 0,03Ом; LQW; 180мм

4,95 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,2нГн
Індуктивність:
2нГн
Корпус - дюйм:
03015
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 4.2mm; GKS-113; CuBe; 3N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 4.2mm; GKS-113; CuBe; 3N; push-in; 30mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
4,2мм
Недоступний
LED; червоно-помаранчевий; SMD; PLCC2; 285÷350мкд; 1,9÷2,4ВDC
LED; червоно-помаранчевий; SMD; PLCC2; 285÷350мкд; 1,9÷2,4ВDC

0,00 грн

Довжина хвилі λd:
617нм
Колір діода LED:
червоно-помаранчевий
Корпус:
PLCC2
Корпус - мм:
3528
Недоступний
IC: мікроконтролер AVR32; TQFP64; 3÷3,6ВDC,4,5÷5,5ВDC; Cmp: 2
IC: мікроконтролер AVR32; TQFP64; 3÷3,6ВDC,4,5÷5,5ВDC; Cmp: 2

455,53 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
FPU; MPU; RTC; watchdog; зміцнення входів ADC; квадратурний декодер; резонатор 32кГц для RTC
Інтерфейс:
CAN x2; Ethernet; I2C x2; I2S; JTAG; LIN x4; SPI x5; UART x4; USB device; USB OTG
Кількість каналів PWM:
14
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А

4406,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
90В
Струм стока:
12А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8

11,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23