Транзистор: N-MOSFET; 1кВ; 3А; 125Вт; D2PAK,TO263; 970нс

Немає в наявності
Код товару: IXTA3N100D2-TRL
209,71 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: IXTA3N100D2-TRL
Виробник: IXYS
Заряд затвора: 37,5нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 6Ом
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 3А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 970нс
IC: цифровий; Ch: 2; 1÷3,6ВDC; SMD; MSOP8; -40÷85°C; IN: 2; OUT: 2
IC: цифровий; Ch: 2; 1÷3,6ВDC; SMD; MSOP8; -40÷85°C; IN: 2; OUT: 2

32,94 грн

Вид об'єднаної схеми:
двонаправлений; транслятор напруги логічних рівнів
Інтерфейс:
I2C; SMBus
Кількість виходів:
2
Кількість каналів:
2
Недоступний
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; для проводу; прямий
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; для проводу; прямий

0,00 грн

Механічний монтаж:
для проводу
Модель роз’єму:
неекранований
Просторова орієнтація:
прямий
Тип корпусу для з’єднувачів:
D-Sub
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 32,4кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 32,4кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Contact; Batt.no: 1; SMT; brass; coin battery
Contact; Batt.no: 1; SMT; brass; coin battery

6,02 грн

Використання:
coin battery
Кількість батарей:
1
Матеріал контакту:
латунь
Монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 620кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 620кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
IC: цифровий; 3-позиційний,8bit,bus transceiver,octal; CMOS,TTL
IC: цифровий; 3-позиційний,8bit,bus transceiver,octal; CMOS,TTL

0,00 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
3-позиційний; 8bit; bus transceiver; octal
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DHVQFN20
Недоступний
Резистор: thin film; 54,9Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 54,9Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,05%

17,61 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23