Транзистор: N-MOSFET; 200В; 30А; 166Вт; PG-TO263-3

Немає в наявності
Код товару: RCJ300N20TL
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 35
Код товару: RCJ300N20TL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 60нКл
Корпус: PG-TO263-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 80мОм
Потужність розсіювання: 166Вт
Струм стока: 30А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: мікроконтролер AVR32; Інтерфейс: Ethernet,I2C,I2S,SPI x6
IC: мікроконтролер AVR32; Інтерфейс: Ethernet,I2C,I2S,SPI x6

732,39 грн

Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
мікросхема watchdog
Інтерфейс:
Ethernet; I2C; I2S; SPI x6
Кількість каналів PWM:
1
Роз’єм: провід-провід; прямий; затискання
Роз’єм: провід-провід; прямий; затискання

36,62 грн

Електричний монтаж:
затискання
Просторова орієнтація:
прямий
Тип роз’єму:
провід-провід
Недоступний
IC: інтерфейс; цифровий ізолятор; 1Мбіт/с; 2,7÷5,5ВDC; SMD; SO16-W
IC: інтерфейс; цифровий ізолятор; 1Мбіт/с; 2,7÷5,5ВDC; SMD; SO16-W

207,17 грн

Вид виходу:
CMOS
Вид каналу:
односпрямована
Вид об'єднаної схеми:
цифровий ізолятор
Вид упаковки:
туба
Заряд.пристр: USB; Вих: USB C; 5/9/15/20В
Заряд.пристр: USB; Вих: USB C; 5/9/15/20В

1132,79 грн

Вид вихідного з'єднання:
USB C
Вихідна напруга:
5/9/15/20В
Тип заряд. пристр.:
USB
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 16,7÷18,5В; 61,5А; двоспрямована; SMB flat; 15BJ
Діод: TVS; 1,5кВт; 16,7÷18,5В; 61,5А; двоспрямована; SMB flat; 15BJ

30,41 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Зворотна напруга макс.:
15В
Корпус:
SMB flat
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 250В; X7R; ±10%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7нФ; 250В; X7R; ±10%; SMD; 1812

11,66 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
IC: power switch; high-side; 500мА; Ch: 1; N-Channel; SMD; MSOP8
IC: power switch; high-side; 500мА; Ch: 1; N-Channel; SMD; MSOP8

15,21 грн

Активний стан:
високе
Вид виходу:
N-Channel
Вид об'єднаної схеми:
high-side
Вихідний струм:
0,5А
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,22А; 0,3Вт; SOT323

13,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT323
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 55В; 80А; Idm: 320А

124,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
142нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT523
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4А; Idm: 28А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4А; Idm: 28А; 1Вт; SOT23

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
13нКл