Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,5А; 1Вт; автомобільна галузь

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: RUL035N02FRATR
16,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 221
Код товару: RUL035N02FRATR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 5,7нКл
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±10В
Напруга сток-джерело: 20В
Опір в стані провідності: 43мОм
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: 3,5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,8пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,8пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,8пФ
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 1200мкФ; 250ВDC; Ø30x50мм
Конденсатор: електролітичний; SNAP-IN; 1200мкФ; 250ВDC; Ø30x50мм

346,55 грн

Висота:
50мм
Властивості конденсаторів:
великий імпульсний струм
Діаметр:
30мм
Допуск:
±20%
Резистор: thick film; 3,9кОм; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,9кОм; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 76,8Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 76,8Ом; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

0,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 16ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 16ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1206

4,88 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7мкФ
Резистор: вуглецевий; 240Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,4x28мм
Резистор: вуглецевий; 240Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,4x28мм

0,44 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,3мм
Довжина:
6мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 274Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 274Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23