Транзистор: N-MOSFET; 250В; 42А; 300Вт; D2PAK,TO263; 200нс

Немає в наявності
Код товару: IXTA42N25P-TRL
152,05 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: IXTA42N25P-TRL
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 250В
Опір в стані провідності: 84мОм
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 42А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 200нс
Недоступний
Резистор: thick film; 3,48Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 3,48Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

20,27 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 400А; Iвих: 1А; Øвнутр: 36мм; 50÷60Гц
Трансформатор: струмовий; Iвх: 400А; Iвих: 1А; Øвнутр: 36мм; 50÷60Гц

2678,03 грн

Вихідний струм:
1А
Відповідність стандарту:
BS 3839; EN 60044-1; EN 61869-1
Вхідний струм:
400А
Діаметр внутрішній:
36мм
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷5м; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷5м; PNP; DARK-ON,LIGHT-ON

6179,05 грн

Властивості датчиків:
Рефлектор замовляється окремо.
Дальність:
0...5м
Зовнішні розміри:
11x20x41,6мм
Кількість пін:
3
Резистор: thick film; 2,7кОм; 0402; 63мВт; ±5%; AF; 1x0,5мм
Резистор: thick film; 2,7кОм; 0402; 63мВт; ±5%; AF; 1x0,5мм

0,12 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Опір:
2,7кОм
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 1кОм; SMD; 0603; 62,5мВт; ±0,1%; -55÷155°C

14,57 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 0.65mm; T-112; CuBe; 2.25N; screw-in
Test probe: screw-in; 5A; Ø: 0.65mm; T-112; CuBe; 2.25N; screw-in

509,38 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
0,65мм
Матеріал контакту:
cube
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWF; 0,22мкФ; 630ВDC; THT; ±5%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWF; 0,22мкФ; 630ВDC; THT; ±5%

10,45 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
0,22мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
7,5мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий
Транзистор: N-MOSFET; польовий

8,87 грн

Монтаж:
SMD
Поляризація:
польовий
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 84А

23,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
21нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
30В
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 19А; 114Вт

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
33нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20
Транзистор: N-JFET; 600В; PG-DSO-20

896,48 грн

Корпус:
PG-DSO-20
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
600В
Опір в стані провідності:
35мОм
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 4,5А; 1Вт; SOT23

31,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD