Транзистор: N-MOSFET; 30В; 3,5А; 1,25Вт; TSMT6

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: RTQ035N03HZGTR
16,22 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 222
Код товару: RTQ035N03HZGTR
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 4,6нКл
Корпус: TSMT6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: 30В
Потужність розсіювання: 1,25Вт
Струм стока: 3,5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; ESD; 3кВт; 6,4÷7В; 326А; односпрямована; ±5%; DO214AB,SMC
Діод: TVS; ESD; 3кВт; 6,4÷7В; 326А; односпрямована; ±5%; DO214AB,SMC

29,14 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
5В
Корпус:
DO214AB; SMC
Ключ: плоский-набір; плоський; 12шт.
Ключ: плоский-набір; плоський; 12шт.

5346,56 грн

Вид ключа:
плоський
Кількість в наборі/упаковці:
12шт.
Розмір ключа:
6мм; 7мм; 8мм; 9мм; 10мм; 11мм; 12мм; 13мм; 14мм; 15мм; 16мм; 17мм; 18мм; 19мм; 20мм; 21мм; 22мм; 23мм; 24мм; 25мм; 27мм; 28мм; 30мм; 32мм
Тип ключа:
плоский - набір
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 12; SMT; 2.5A; 100V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 12; SMT; 2.5A; 100V

414,34 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
12
Недоступний
Діод: TVS; 0,3кВт; 28,9В; 71,2А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1
Діод: TVS; 0,3кВт; 28,9В; 71,2А; двоспрямована; DO214AB,SMC; Ch: 1

83,00 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
26В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AB; SMC
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 60В; 40А; Idm: 120А; 44Вт

25,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
FB (TO252AA)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 60В; 64А; Idm: 192А; 168Вт

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 80мА; 0,35Вт; SuperSOT-3; Igt: 10мА

38,01 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SuperSOT-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,17А; Idm: 0,9А; ESD

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 5,6А; Idm: 36А

149,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 270мА; Idm: 5А; 420мВт; SOT23

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,7нКл
Корпус:
SOT23