Транзистор: N-MOSFET; 30В; 8мА; 360мВт

Немає в наявності
Код товару: 2N4861UB/TR
5124,97 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4
Код товару: 2N4861UB/TR
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 30В
Опір в стані провідності: 60Ом
Потужність розсіювання: 0,36Вт
Струм стока: 8мА
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 10В; X6S; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 10В; X6S; ±20%; SMD; 0201

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,62 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 3,3нФ; 500В; X7R; ±10%; THT; 5мм
Конденсатор: керамічний; 3,3нФ; 500В; X7R; ±10%; THT; 5мм

3,40 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
3,3нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 200мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 10,8÷13,2ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 200мА

265,43 грн

Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,2А
Вхідна напруга:
10,8...13,2В DC
Зовнішні розміри:
19,66x7,06x10,21мм
Недоступний
Connector: PCB to PCB; socket; male; data; PIN: 30; DF40; vertical
Connector: PCB to PCB; socket; male; data; PIN: 30; DF40; vertical

91,86 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
CL0684-4501-0-51
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 25В; X7R; ±20%; SMD; 1206

16,28 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
soft termination
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; 22нФ; 400ВDC; 200ВAC; 10x10,5x5мм
Конденсатор: поліпропиленовий; 22нФ; 400ВDC; 200ВAC; 10x10,5x5мм

9,76 грн

Висота:
10,5мм
Довжина відводів:
10мм
Допуск:
±10%
Ємність:
22нФ
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А

4392,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
90В
Струм стока:
12А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8

11,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8

44,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23