Транзистор: N-MOSFET; 40В; 80А; 96Вт; TO252; автомобільна галузь

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: AG085FGD3HRBTL
88,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 46
Код товару: AG085FGD3HRBTL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 41нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 3,1мОм
Потужність розсіювання: 96Вт
Струм стока: 80А
Тип транзистора: N-MOSFET
Connector: D-Sub; PIN: 15; socket; data transfer; angled; soldering
Connector: D-Sub; PIN: 15; socket; data transfer; angled; soldering

1249,37 грн

Connector family:
data transfer
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
15
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thin film; 1,5кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M
Резистор: thin film; 1,5кОм; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,1%; MCT0603; M

4,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: thick film; 365кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 365кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,09 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±1%
Зовнішні розміри:
1,65x0,95x0,5мм
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 333мА
Перетворювач: DC/DC; 10Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 333мА

1395,72 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
0,333А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Недоступний
Резистор: thin film; 7,5кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 7,5кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,5%

0,90 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Вентилятор: DC; 80x80x20мм; осьовий; 21,6÷26,4ВDC; 58,32м3/г
Вентилятор: DC; 80x80x20мм; осьовий; 21,6÷26,4ВDC; 58,32м3/г

0,00 грн

Виводи:
проводи x2
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
ковзання
Довжина відводів:
0,3м
Недоступний
Резистор: thin film; 988Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M; 75В
Резистор: thin film; 988Ом; SMD; 0603; 0,21Вт; ±0,5%; MCT0603; M; 75В

2,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 80А; 242Вт; D2PAK

203,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
135нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,9А; 0,5Вт; SuperSOT-3

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,8А; 57Вт; TO252

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9,8А; 50Вт; DPAK

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 16А; 90Вт; DPAK

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 9А; 50Вт; DPAK; ESD

88,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD