Транзистор: N-MOSFET; 40В; 95А; 59Вт; HSMT8

Name: Транзистор: N-MOSFET; 40В; 95А; 59Вт; HSMT8
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: RH6G040BGTB1
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: RH6G040BGTB1

0,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 87

Код товару:

RH6G040BGTB1

Виробник:

ROHM SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Заряд затвора:

25нКл

Корпус:

HSMT8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

40В

Опір в стані провідності:

3,6мОм

Потужність розсіювання:

59Вт

Струм стока:

95А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
DPAK

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
TSOP6

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
SO8

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Корпус:
DPAK

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Заряд затвора:
48нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 56А; 200Вт; D2PAK

182,46 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
130нКл

Корпус:
D2PAK