Транзистор: N-MOSFET; 600В; 10А; 200Вт; D2PAK,TO263AB; 500нс

Немає в наявності
Код товару: IXTA10N60P
145,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXTA10N60P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 32нКл
Корпус: D2PAK; TO263AB
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,74Ом
Потужність розсіювання: 200Вт
Струм стока: 10А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 0,5мкс
Гніздо; гніздовий; PIN: 110; 1000; прямий; THT; на PCB; 2,54мм
Гніздо; гніздовий; PIN: 110; 1000; прямий; THT; на PCB; 2,54мм

40222,43 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
110
Механічний монтаж:
на PCB
Недоступний
Резистор: thick film; 13,3Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 13,3Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Транзистор: NPN; біполярний; 45В; 0,5А; 0,3Вт; SOT23
Транзистор: NPN; біполярний; 45В; 0,5А; 0,3Вт; SOT23

1,70 грн

Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруги колектор-емітер:
45В
Поляризація:
біполярний
Недоступний
Гачок; 200мм; 106/C; знімач для підшипників
Гачок; 200мм; 106/C; знімач для підшипників

4566,66 грн

Використання інструментів:
знімач для підшипників
Довжина:
0,2м
Серія виробника:
106/C
Тип аксесуарів для інструментів:
гачок
Недоступний
Резистор: thin film; 45,3Ом; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: thin film; 45,3Ом; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм

9,00 грн

Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 7; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 7; THT; 3A; 250V

29,14 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
8,1мм
Діод: TVS; 6,45÷7,14В; 57А; двоспрямована; ±5%; DO15; 600Вт
Діод: TVS; 6,45÷7,14В; 57А; двоспрямована; ±5%; DO15; 600Вт

8,36 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
5,8В
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А

4406,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
90В
Струм стока:
12А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8

11,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23