1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40А; 75Вт; DFN8; автомобільна галузь

Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40А; 75Вт; DFN8; автомобільна галузь
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: RH7L04BBLFRATCB
57,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 71
Код товару: RH7L04BBLFRATCB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 24нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 6,4мОм
Потужність розсіювання: 75Вт
Струм стока: 40А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 600В; 300мА; 75нс; SOD123F; Ufmax: 1,7В
Діод: випрямний; SMD; 600В; 300мА; 75нс; SOD123F; Ufmax: 1,7В

1,72 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated; ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
SOD123F
Недоступний
Резистор: thick film; 39Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В
Резистор: thick film; 39Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±5%; CQ; 200В

0,16 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 400 CP; 4G2,5мм2; PUR; сірий; 300В,500В
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 400 CP; 4G2,5мм2; PUR; сірий; 300В,500В

675,37 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Відповідність стандарту:
EN 50618; EN 50620
Недоступний
Резистор: thick film; 49,9Ом; SMD; 1812; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 49,9Ом; SMD; 1812; 750мВт; ±1%; 200В

1,55 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1812
Корпус - мм:
4532
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 2кВ; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 2кВ; X7R; ±10%; SMD; 1206

3,48 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 237А; Idm: 1480А; 64Вт; LFPAK8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 237А; Idm: 1480А; 64Вт; LFPAK8

59,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
93нКл
Корпус:
LFPAK8
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

4,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А

4406,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
90В
Струм стока:
12А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8

11,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23