Транзистор: N-MOSFET; 650В; 24А; 245Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; 650В; 24А; 245Вт
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: R6524ENZ4C13
Price: 280.00 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: R6524ENZ4C13

280,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 15

Код товару:

R6524ENZ4C13

Виробник:

ROHM SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Заряд затвора:

70нКл

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

650В

Опір в стані провідності:

0,185Ом

Потужність розсіювання:

245Вт

Струм стока:

24А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247

603,72 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247

455,48 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

305,98 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220-3

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 97А; 382Вт; PG-TO247-4

807,07 грн

Вид каналу:
збагачений

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
89нКл

Корпус:
PG-TO247-4

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP

214,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
65нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 650В; 15А; 60Вт

103,89 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
27,5нКл

Монтаж:
THT

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%

9064,68 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид транзистора:
RF

Вид упаковки:
туба

Вихідна потужність:
350Вт