Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 305Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 305Вт
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: R6530ENZ4C13
Price: 312.31 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: R6530ENZ4C13

312,31 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 13

Код товару:

R6530ENZ4C13

Виробник:

ROHM SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Заряд затвора:

90нКл

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

650В

Опір в стані провідності:

0,14Ом

Потужність розсіювання:

305Вт

Струм стока:

30А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 10,1А; Idm: 48А; 167Вт

221,09 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
70нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 500мА; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
TO92

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; Idm: 80А; 38,5Вт

200,82 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
59,5нКл

Корпус:
TO220FP

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 8,19А; Idm: 52А; 130Вт; TO247

197,02 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
34нКл

Корпус:
TO247

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 14А; Idm: 80А; 150Вт

174,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
65нКл

Корпус:
SOT78; TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 5А; Idm: 20А; 60Вт; TO220-3

91,22 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
8,8нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 39А; Idm: 156А; 250Вт

154,57 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
96нКл

Корпус:
SOT78; TO220AB