1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; 650В; 7А; 78Вт; PG-TO263-3

Транзистор: N-MOSFET; 650В; 7А; 78Вт; PG-TO263-3
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: R6507ENJTL
94,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 43
Код товару: R6507ENJTL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: PG-TO263-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Потужність розсіювання: 78Вт
Струм стока: 7А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 26,7÷29,5В; 38,6А; односпрямована; SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 26,7÷29,5В; 38,6А; односпрямована; SMC

14,25 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
24В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100нФ; 25В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

4,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 86,5В; 12А; двоспрямована; Ch: 1; -55÷175°C
Діод: TVS; 1,5кВт; 86,5В; 12А; двоспрямована; Ch: 1; -55÷175°C

1278,51 грн

Зворотна напруга макс.:
69,2В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
86,5В
Діод: TVS; 0,6кВт; 133÷153В; 3,1А; двоспрямована; SMB
Діод: TVS; 0,6кВт; 133÷153В; 3,1А; двоспрямована; SMB

10,77 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
120В
Корпус:
SMB
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 2; THT; 1.5A; 125V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 2; THT; 1.5A; 125V

32,94 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
8,5мм
Довжина відводів:
3мм
Недоступний
Провід; тросик; Cu; 22AWG; PPO; сірий; 600В; 30м; 1x22AWG
Провід; тросик; Cu; 22AWG; PPO; сірий; 600В; 30м; 1x22AWG

44,35 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
UL 11028; VW-1
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,6пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,6пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8А; Idm: 30А; 31,3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 8А; Idm: 30А; 31,3Вт; SOT223

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK

83,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK

108,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
D2PAK