Транзистор: N-MOSFET; 80В; 120А; 150Вт; одиночний транзистор

Немає в наявності
Код товару: AG160FNS4FRATCB
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 39
Код товару: AG160FNS4FRATCB
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 53нКл
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Потужність розсіювання: 150Вт
Структура напівпровідника: одиночний транзистор
Струм стока: 120А
Тип транзистора: N-MOSFET
LED; 8мм; червоний; 3000÷5000(тип)-6500мкд; 20°; Голівка: опукла
LED; 8мм; червоний; 3000÷5000(тип)-6500мкд; 20°; Голівка: опукла

31,68 грн

Голівка:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
8мм
Довжина хвилі λd:
620...630нм
Кількість виводів:
2
Недоступний
Tap: metric; M12; 1.75; L: 110mm; B; Holder: square,machine; 7mm; Blue
Tap: metric; M12; 1.75; L: 110mm; B; Holder: square,machine; 7mm; Blue

1230,99 грн

Type of tap:
метрична
Вид рукоятки:
квадрат; машина
Використання інструментів:
для крізних отворів; легована сталь; чавун
Відповідність стандарту:
DIN 376
Недоступний
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,7Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±5%; -55÷155°C

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Зовнішні розміри:
6,3x3,1x0,6мм
Корпус - дюйм:
2512
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А

4406,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
90В
Струм стока:
12А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8

11,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23