1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; AlphaSGT™; польовий; 60В; 39А; 7,5Вт; DFN8

Транзистор: N-MOSFET; AlphaSGT™; польовий; 60В; 39А; 7,5Вт; DFN8
Немає в наявності
Код товару: AONS62614T
32,50 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: AONS62614T
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 90нКл
Корпус: DFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 2,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 7,5Вт
Струм стока: 39А
Технологія: AlphaSGT™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3.5mm; GKS-113; CuBe; 1.5N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 3.5mm; GKS-113; CuBe; 1.5N; push-in; 30mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
3,5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 100В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805

16,47 грн

Alias:
KGM21BCG2A470GT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,8А; Idm: 11,2А; 49Вт; IPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,8А; Idm: 11,2А; 49Вт; IPAK

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
IPAK
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±5%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±5%; AC; -55÷155°C

0,04 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Кабель: до датчиків; PIN: 8; М12 "мама",з обох сторін; вилка; 30В
Кабель: до датчиків; PIN: 8; М12 "мама",з обох сторін; вилка; 30В

1282,95 грн

Довжина проводу:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
8
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 630В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 1206

2,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
10пФ
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3