Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; польовий; 600В; 10А; Idm: 42А

Немає в наявності
Код товару: IPD60R210PFD7SAUMA1
48,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: IPD60R210PFD7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 386мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 64Вт
Струм стока: 10А
Струм стоку в імпульсі: 42А
Технологія: CoolMOS™ PFD7
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 10мкФ; 400ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 10мкФ; 400ВDC; ±20%

43,72 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
16мм
Властивості конденсаторів:
великий імпульсний струм; висока довговічність
Діаметр:
10мм
Недоступний
Резистор: thin film; 21,5Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 21,5Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

47,52 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 72МГц; LQFP64; 2÷3,6ВDC; -40÷85°C
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 72МГц; LQFP64; 2÷3,6ВDC; -40÷85°C

487,20 грн

Вид архітектури:
Cortex M4
Властивості інтегральних мікросхем:
CRC; DMA; PdR; PoR; PVD; watchdog; операційний підсилювач
Інтерфейс:
CAN; GPIO; I2C; I2S; SPI; UART; USART; USB
Кількість входів/виходів:
51
M63; 1,5; IP68; поліамід; світло-сірий; V-TEC VM
M63; 1,5; IP68; поліамід; світло-сірий; V-TEC VM

576,53 грн

Вид різьблення:
метрична
Довжина гвинта:
12мм
Зовнішній діаметр проводу:
36...48мм
Клас герметичності:
IP68
Недоступний
Резистор: thin film; 9,09кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 9,09кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

3,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 19мм; 1/2"
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 19мм; 1/2"

631,02 грн

Вид ключа:
насадковий; ударний
Довжина насадки:
80мм
Матеріал:
хром-молібденова сталь
Модель:
довга; тонкостінна
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

1,02 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; Idm: 480А; 96Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 120А; Idm: 480А; 96Вт; TO252

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
95нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 28А; Idm: 112А; 73,5Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 28А; Idm: 112А; 73,5Вт; TO252

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 56А; Idm: 360А; 44Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 56А; Idm: 360А; 44Вт

41,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 42А; Idm: 168А; 65,8Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 42А; Idm: 168А; 65,8Вт

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7А; Idm: 35А; 1,6Вт; DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 7А; Idm: 35А; 1,6Вт; DFN2020-6

24,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,9А; 0,9Вт; SOT23

8,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 468Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 468Вт; автомобільна галузь

126,71 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
170нКл
Монтаж:
SMD