Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; польовий; 650В; 7А; Idm: 31А

Немає в наявності
Код товару: IPAN60R280PFD7SXKSA1
108,34 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPAN60R280PFD7SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220FP
Модель: ESD
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 549мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 24Вт
Струм стока: 7А
Струм стоку в імпульсі: 31А
Технологія: CoolMOS™ PFD7
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 2,2нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; 0603
Конденсатор: керамічний; 2,2нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; 0603

0,35 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
2,2нФ
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 21; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 21; THT; 3A; 250V

204,00 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
18,2мм
Недоступний
Діод: зенера; 1,5Вт; 9,1В; SMD; 300нА
Діод: зенера; 1,5Вт; 9,1В; SMD; 300нА

1471,11 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
9,1В
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1,5Вт
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 47; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 47; THT; 1.5A

754,56 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Енкодер: інкрементальний; THT; 15імп./об; Поз: 30; 5ВDC; 10мА; DP11
Енкодер: інкрементальний; THT; 15імп./об; Поз: 30; 5ВDC; 10мА; DP11

129,88 грн

Діаметр осі:
6мм
Довжина осі:
25мм
Кількість всіх позицій:
30
Монтаж:
THT
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3,4; 5м; вилка; 230ВDC; 230ВAC; 4А
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3,4; 5м; вилка; 230ВDC; 230ВAC; 4А

936,39 грн

Довжина кабелю:
5м
Кількість пін:
3; 4
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
IC: перетворювач D/A; 12бит; 500кsps; Ch: 1; USON12; -40÷105°C
IC: перетворювач D/A; 12бит; 500кsps; Ch: 1; USON12; -40÷105°C

0,00 грн

Max DNL:
±0,5LSB
Відносна погрішність:
1LSB
Інтерфейс:
SPI
Кількість каналів:
1
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO251

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 24А; Idm: 96А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 24А; Idm: 96А; 34Вт; TO220FP

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
41,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP

176,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А

236,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO220-3