Транзистор: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; польовий; 600В; 13А; Idm: 36А

Немає в наявності
Код товару: IPDD60R190G7XTMA1
168,53 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPDD60R190G7XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 18нКл
Корпус: PG-HDSOP-10-1
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,19Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 76Вт
Струм стока: 13А
Струм стоку в імпульсі: 36А
Технологія: CoolMOS™ G7
Тип транзистора: N-MOSFET
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; 20А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; гніздо; штекерний; 20А

26,61 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Відповідність стандарту:
UL
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,6пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,6пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25%; SMD

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,25%
Недоступний
Реле: інтерфейснe; Uкотушки: 230ВAC,230ВDC; SPST-NO; 4А; 4A/24ВDC
Реле: інтерфейснe; Uкотушки: 230ВAC,230ВDC; SPST-NO; 4А; 4A/24ВDC

1196,78 грн

Виводи:
самозажимна клемма
Вид виходу:
транзисторний
Зовнішні розміри:
98,5x6,2x85,5мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 500В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 500В; X7R; ±10%; SMD; 1206

2,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Резистор: вуглецевий; 1,5Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,46x28мм
Резистор: вуглецевий; 1,5Ом; THT; 0,25Вт; ±5%; 250В; Ш0,46x28мм

1,24 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,8мм
Допуск:
±5%
Резистор: thin film; 30,1кОм; 0805; 100мВт; ±0,1%; PCF; -55÷125°C
Резистор: thin film; 30,1кОм; 0805; 100мВт; ±0,1%; PCF; -55÷125°C

5,70 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; D2PAK

148,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 30А; 0,66Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4,1А; Idm: 30А; 0,66Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
U-DFN2020-6 Type E
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
D2PAK; TO263