Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 126А; Idm: 504А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: P126FP10SN-5071
112,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: P126FP10SN-5071
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 160нКл
Корпус: FP (SC83 similar)
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 4,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 238Вт
Струм стока: 126А
Струм стоку в імпульсі: 504А
Технологія: EETMOS3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 18; SMT; 3A; 125V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 18; SMT; 3A; 125V

127,98 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Вид упаковки:
туба
Висота:
5,5мм
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 2,4В; SMD; DO213AA; 2мкА
Діод: зенера; 500мВт; 2,4В; SMD; DO213AA; 2мкА

3552,97 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
2,4В
Корпус:
DO213AA
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,9пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,9пФ; 200В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 0402

6,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
9,9пФ
Щітка; ESD; Дл.щетини: 21мм; 30мм; Довж.заг: 92мм; чорний; 105°C
Щітка; ESD; Дл.щетини: 21мм; 30мм; Довж.заг: 92мм; чорний; 105°C

494,17 грн

Відповідність стандарту:
ANSI ESD S20:20.; EN 61340-5-1
Властивості елементів антистатики:
жорстка щетина; запобігає накопиченню електричних зарядів
Довжина робочої частини:
65мм
Довжина щетини:
21мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0603; 330мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56нФ; 16В; X7R; ±20%; SMD; 0603; 330мм

0,57 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
IC: FPGA; SMD; FBGA484; I/O: 248; лоток
IC: FPGA; SMD; FBGA484; I/O: 248; лоток

15479,62 грн

Вид упаковки:
лоток
Кількість входів/виходів:
248
Корпус:
FBGA484
Монтаж:
SMD
Резистор: thin film; 9,88кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 9,88кОм; SMD; 0603; 125мВт,210мВт; ±0,1%

1,67 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 3А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; Idm: 3А; 0,35Вт; SOT23

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 32А; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 32А; HSOP8

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42,8нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 10мА; 0,2Вт; SC59; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 15В; 10мА; 0,2Вт; SC59; Igt: 10мА

43,72 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC59
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-15В
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; Idm: 720А; 300Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; Idm: 720А; 300Вт; TO263-7

302,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
156нКл
Корпус:
TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 4А; Idm: 25А; 3Вт; SOT223

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 32А; 208Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 32А; 208Вт; автомобільна галузь

520,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
47нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 52А; Idm: 144А; 25,5Вт; WDFN8

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18,2нКл
Корпус:
WDFN8