Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 20А; Idm: 60А; 44Вт

Немає в наявності
Код товару: P20B12SL-5071
19,77 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Код товару: P20B12SL-5071
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 46нКл
Корпус: FB (TO252AA)
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 120В
Опір в стані провідності: 44мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 44Вт
Струм стока: 20А
Струм стоку в імпульсі: 60А
Технологія: EETMOS3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 287кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 287кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
330мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 1.5A

138,75 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 715Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F
Резистор: thick film; 715Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F

2,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 49; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 49; THT; 3A; 100V

215,41 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 100V

303,47 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: power switch; high-side; 3А; Ch: 1; P-Channel; SMD; uDFN4; 1,5мкс
IC: power switch; high-side; 3А; Ch: 1; P-Channel; SMD; uDFN4; 1,5мкс

38,65 грн

Активний стан:
високе
Вид виходу:
P-Channel
Вид об'єднаної схеми:
high-side
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 4,2нГн; 1800мА; R: 0,044Ом; ±2%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 4,2нГн; 1800мА; R: 0,044Ом; ±2%; LQW

3,44 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±2%
Індуктивність:
4,2нГн
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 40А; 125Вт

397,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
D3PAK; TO268