Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 120В; 32А; Idm: 128А; 44Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: P32F12SN-5600
61,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: P32F12SN-5600
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Заряд затвора: 92нКл
Корпус: FTO-220AG (SC91)
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 120В
Опір в стані провідності: 15,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 44Вт
Струм стока: 32А
Струм стоку в імпульсі: 128А
Технологія: EETMOS3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 33; THT; 3A; 250V

143,18 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
4,6мм
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK; SMD; 45В; 20А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; D2PAK; SMD; 45В; 20А; ролик,cтрічка

41,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
для фотоелектричного захисту
Зворотна напруга макс.:
45В
Корпус:
D2PAK
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 16МбFLASH; 1Mx16бит; 70нс; TSOP48; паралельний
IC: пам'ять FLASH; 16МбFLASH; 1Mx16бит; 70нс; TSOP48; паралельний

233,78 грн

Вид пам’яті:
Flash; NOR
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TSOP48
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 390кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F
Резистор: thick film; 390кОм; 0805; 500мВт; ±1%; ERJP06F

1,51 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
390кОм
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; DO213AB; SMD; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; DO213AB; SMD; ролик,cтрічка

480,87 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
70пФ
Корпус:
DO213AB
Монтаж:
SMD
Конденсатор: поліпропиленовий; DC-Link; 510мкФ; 900ВDC; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; DC-Link; 510мкФ; 900ВDC; ±10%

8267,88 грн

Виводи:
болтове
Вид конденсатора:
DC-Link
Допуск:
±10%
Ємність:
510мкФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 3A; 100V

48,15 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 5А; 50Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 5А; 50Вт; TO220-3

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 7А; 29Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 7А; 29Вт; TO220FP

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 11А; 85Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 11А; 85Вт; TO251

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс

202,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
49нКл
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 150В; 120А; 600Вт; TO247-3

579,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 94А; 1040Вт; TO3P

748,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
102нКл
Корпус:
TO3P
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 55А; 625Вт; ISOPLUS264™

632,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
240нКл
Корпус:
ISOPLUS264™