Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 40В; 56А; Idm: 168А; 99Вт

Немає в наявності
Код товару: P56LA4SN-5070
20,21 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Код товару: P56LA4SN-5070
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 38нКл
Корпус: LA
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 5,7мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 99Вт
Струм стока: 56А
Струм стоку в імпульсі: 168А
Технологія: EETMOS3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
З`єднання: на рейку; APG; 17,5А; 500В; push-in; вемид; 26AWG÷14AWG
З`єднання: на рейку; APG; 17,5А; 500В; push-in; вемид; 26AWG÷14AWG

382,03 грн

Електричний монтаж:
push-in
Клас горючості:
UL94V-0
Колір корпусу:
бежевий
Матеріал корпусу:
вемид
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 2,5В; X6S; ±20%; SMD; 008004
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 2,5В; X6S; ±20%; SMD; 008004

2,78 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,765А
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,765А

2,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,9нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK

240,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK

103,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,4нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь

729,22 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
PG-HDSOP-16
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200мА; Idm: 0,8А; 360мВт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200мА; Idm: 0,8А; 360мВт

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD