1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 12А; Idm: 36А; 24Вт

Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 75В; 12А; Idm: 36А; 24Вт
Немає в наявності
Код товару: P12FE7R5SBK-5071
24,39 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Код товару: P12FE7R5SBK-5071
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 16,6нКл
Корпус: FE (TO252AB similar)
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 75В
Опір в стані провідності: 63мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 24Вт
Струм стока: 12А
Струм стоку в імпульсі: 36А
Технологія: EETMOS3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: цифровий; NOT; Ch: 1; CMOS; SMD; SC70-5; 1,65÷5,5ВDC; -40÷125°C
IC: цифровий; NOT; Ch: 1; CMOS; SMD; SC70-5; 1,65÷5,5ВDC; -40÷125°C

21,54 грн

Вид затвору:
NOT
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
single; 1
Корпус:
SC70-5
Недоступний
Вимикач максимального струму; 12А; Полюси: 2; фланець; IP65; MCB
Вимикач максимального струму; 12А; Полюси: 2; фланець; IP65; MCB

1850,61 грн

Виводи:
конектори
Кількість полюсів:
2
Клас герметичності:
IP65
Колір кнопки:
червоний/зелений
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 16А; Idm: 50А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 16А; Idm: 50А; 35Вт; TO220FP

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
86нКл
Корпус:
TO220FP
Недоступний
IC: power switch; high-side; 1,2А; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70-6
IC: power switch; high-side; 1,2А; Ch: 1; P-Channel; SMD; SC70-6

18,50 грн

Активний стан:
високе
Вид виходу:
P-Channel
Вид об'єднаної схеми:
high-side
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0201; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 0201; 180мм

0,35 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 1кВ; 3,3А; Idm: 18А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 1кВ; 3,3А; Idm: 18А; 86Вт

155,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18,8нКл
Корпус:
TO252
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,1пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 01005

0,92 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
6,1пФ
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 69,4А; PowerPAK® SO8

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 97Вт; автомобільна галузь

38,01 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
17нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 1А; Idm: 4А; 32,2Вт; QFN3X3

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
QFN3X3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 2,7А; Idm: 17А; 25Вт

74,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 39А; 95Вт; D2PAK; ESD

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 4,4А; 2,1Вт; SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
10,4нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 280А; 330Вт; D2PAK

184,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD