Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™; польовий; 600В; 12,6А; Idm: 80А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STP20NM60FD
369,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP20NM60FD
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 52нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 0,29Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 192Вт
Струм стока: 12,6А
Струм стоку в імпульсі: 80А
Технологія: FDmesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 125мА
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷36ВDC; Uвих: 24ВDC; Iвих: 125мА

461,86 грн

Використання:
промисловість
Вихідна напруга:
24В DC
Вихідний струм:
0,125А
Відповідність стандарту:
CE
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 57; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 57; THT; straight

54,49 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
11,3мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,3пФ; 100В; X8G; ±0,05пФ; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,3пФ; 100В; X8G; ±0,05пФ; 0201

1,68 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
2,3пФ
Ніж; для різання шкіри,коробка,універсальний; пластик
Ніж; для різання шкіри,коробка,універсальний; пластик

218,58 грн

Властивості кусачок/ножів:
блокада леза; висуване сегментне лезо; змінні леза; металева напрямна леза; ширина леза 18мм
Застосування кусачок/ножів:
для різання шкіри; коробка; універсальний
Матеріал рукоятки:
пластик
Обладнання стандартне:
лезо x1
Недоступний
Резистор: thin film; 20Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%; TC; 200В
Резистор: thin film; 20Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%; TC; 200В

1,18 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; TQFP64; 256кБFLASH; ARM; ролик,cтрічка
IC: мікроконтролер ARM; TQFP64; 256кБFLASH; ARM; ролик,cтрічка

240,12 грн

Вид архітектури:
Cortex M4F
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
DMA; PoR; PWM; мікросхема watchdog
Інтерфейс:
EBI; EMI; Ethernet; I2C; I2S; IrDA; MMC; QSPI; UART; USART; USB
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,5пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

2,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,5пФ
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт

763,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
128нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

662,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
287нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC

217,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт

1384,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
162нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В