Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; польовий; 55В; 550А; Idm: 2кА; 830Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: MMIX1T550N055T2
1818,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MMIX1T550N055T2
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 595нКл
Корпус: SMPD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 55В
Опір в стані провідності: 1,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 830Вт
Струм стока: 550А
Струм стоку в імпульсі: 2кА
Технологія: GigaMOS™; TrenchT2™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 100нс
Блок живлення: імпульсний; LED; 192Вт; 12ВDC; 16А; 90÷305ВAC; IP67
Блок живлення: імпульсний; LED; 192Вт; 12ВDC; 16А; 90÷305ВAC; IP67

3545,37 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
16А
Недоступний
Резистор: thin film; 68,1Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 68,1Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±1%; MCT0603; 0; 75В

0,58 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 31,6Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 31,6Ом; 2010; 750мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,35 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
31,6Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 95,3Ом; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 95,3Ом; 0805; 125мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
95,3Ом
Недоступний
Діод: зенера; 0,2Вт; 4,3В; SMD; SOD923; одиночний діод
Діод: зенера; 0,2Вт; 4,3В; SMD; SOD923; одиночний діод

8,87 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
4,3В
Корпус:
SOD923
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 20пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 20пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0603

2,62 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thin film; 59Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0; 75В
Резистор: thin film; 59Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0; 75В

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3