Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 3А; Idm: 12А; 35Вт

Немає в наявності
Код товару: P3B28HP2-5071
12,10 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Код товару: P3B28HP2-5071
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 2,1нКл
Корпус: FB (TO252AA)
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 280В
Опір в стані провідності: 2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 35Вт
Струм стока: 3А
Струм стоку в імпульсі: 12А
Технологія: Hi-PotMOS2
Тип транзистора: N-MOSFET
Реле: електромагнітнe; 24ВDC; 3PDT; Iконтактів max: 10А; підставка
Реле: електромагнітнe; 24ВDC; 3PDT; Iконтактів max: 10А; підставка

1063,10 грн

Виводи:
до лютування
Висота:
35,6мм
Зовнішні розміри:
60x37,3x35,6мм
Кількість пін:
8
Недоступний
Модуль: діодний; подвійний,спільний анод; 30В; If: 300Аx2; TO240AA
Модуль: діодний; подвійний,спільний анод; 30В; If: 300Аx2; TO240AA

3423,72 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
Шотткі
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Зворотна напруга макс.:
30В
Корпус:
TO240AA
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,62пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 0,62пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,62пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 24кОм; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 24кОм; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,08 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
24кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; PS; 200В
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; PS; 200В

1,12 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Кабель; вилка micro USB B,USB C вилка; 0,5м; чорний; 22AWG,30AWG
Кабель; вилка micro USB B,USB C вилка; 0,5м; чорний; 22AWG,30AWG

470,73 грн

Діаметр жили:
22AWG; 30AWG
Довжина кабелю:
0,5м
Зовнішній діаметр проводу:
4,5мм
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Контактор: 2-полюсний встановлювальний; 20А; 24ВAC; NC; R
Контактор: 2-полюсний встановлювальний; 20А; 24ВAC; NC; R

1637,10 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Додаткові функції:
перемикач I-O-A
Кількість модулів:
1
Конфігурація контактів:
NC
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD