Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 280В; 8А; Idm: 32А; 54Вт

Немає в наявності
Код товару: P8B28HP2-5071
20,65 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Код товару: P8B28HP2-5071
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 9,8нКл
Корпус: FB (TO252AA)
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 280В
Опір в стані провідності: 0,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 54Вт
Струм стока: 8А
Струм стоку в імпульсі: 32А
Технологія: Hi-PotMOS2
Тип транзистора: N-MOSFET
Connector: PCB-cable/PCB; male; data; 125V; PIN: 42; 2mm; 2A; SMT
Connector: PCB-cable/PCB; male; data; 125V; PIN: 42; 2mm; 2A; SMT

103,90 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
42
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; TQFP100
IC: мікроконтролер PIC; 128кБ; 80МГц; 2,3÷3,6ВDC; SMD; TQFP100

395,34 грн

Вид архітектури:
M4K
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
CRC; DMA; PMP; RTCC; watchdog
Генератор вбудований:
32кГц; 8МГц
Недоступний
Резистор: thick film; 59Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 59Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 50pin,D-Sub HD 78pin
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; D-Sub 50pin,D-Sub HD 78pin

326,28 грн

Застосування роз’ємів:
D-Sub 50pin; D-Sub HD 78pin
Колір:
сірий
Матеріал корпусу:
пластик
Просторова орієнтація:
прямий
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805

0,73 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2нФ
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 1024Кx8бит; 45нс; VFBGA48; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 8МбSRAM; 1024Кx8бит; 45нс; VFBGA48; паралельний

221,74 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
VFBGA48
Монтаж:
SMD
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

5,70 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
1нФ
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD