Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 300В; 8А; Idm: 32А; 54Вт

Немає в наявності
Код товару: P8B30HP2-5071
23,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Код товару: P8B30HP2-5071
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 9,8нКл
Корпус: FB (TO252AA)
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 300В
Опір в стані провідності: 0,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 54Вт
Струм стока: 8А
Струм стоку в імпульсі: 32А
Технологія: Hi-PotMOS2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 4A,5.5A; Ø: 2.5mm; series 154; CuBe; 1.5N; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 4A,5.5A; Ø: 2.5mm; series 154; CuBe; 1.5N; 20mΩ

195,13 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
2,5мм
Довжина:
30мм
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 18мкФ; 63ВDC; Ø5x11мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 18мкФ; 63ВDC; Ø5x11мм

3,80 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
11мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
5мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 20пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 20пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
20пФ
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 60Вт; 80÷264ВAC; OUT: 1; 8А
Блок живлення: імпульсний; відкритий; 60Вт; 80÷264ВAC; OUT: 1; 8А

722,88 грн

Вид блоку живлення:
відкритий
Вихідна напруга:
7,5В DC
Вихідний струм:
8А
Діапазон вихідної напруги:
7,12...8,3В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 16В; X7R; ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 16В; X7R; ±5%; SMD; 0805

1,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Ємність:
0,22мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 82Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; -55÷155°C
Резистор: thin film; 82Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; -55÷155°C

0,56 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 40,2кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR
Резистор: thin film; 40,2кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; TFR

34,85 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
30нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
55нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S

68,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN2020-8S