Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 400В; 4А; Idm: 16А; 35Вт

Немає в наявності
Код товару: P4B40HP2-5071
15,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Код товару: P4B40HP2-5071
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 6,5нКл
Корпус: FB (TO252AA)
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 400В
Опір в стані провідності: 1,9Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 35Вт
Струм стока: 4А
Струм стоку в імпульсі: 16А
Технологія: Hi-PotMOS2
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 665Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 665Ом; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В; -55÷155°C

5,70 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Роз’єм: automotive; AT; на PCB; Блокування: защіпка
Роз’єм: automotive; AT; на PCB; Блокування: защіпка

158,39 грн

Механічний монтаж:
на PCB
Робоча температура:
-55...125°C
Серія виробника:
AT
Система блокування:
защіпка
Недоступний
Резистор: thick film; 2,1Ом; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,1Ом; 0402; 62,5мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,01 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
2,1Ом
Симістор; 800В; 8А; Igt: 10мА; TO220FP; туба; Ifsm: 65А; 3Q,Hi-Com
Симістор; 800В; 8А; Igt: 10мА; TO220FP; туба; Ifsm: 65А; 3Q,Hi-Com

31,04 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
sensitive gate
Зворотна напруга макс.:
0,8кВ
Недоступний
Роз’єм: HDC; модуль; гніздовий; Moduplug; PIN: 8; 5А; 48В; затискання
Роз’єм: HDC; модуль; гніздовий; Moduplug; PIN: 8; 5А; 48В; затискання

1394,45 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Відповідність стандарту:
DIN EN 61984
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
8
Недоступний
Резистор: thick film; 487Ом; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 487Ом; 0805; 125мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,04 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
487Ом
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,5нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603

8,24 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
1,5нФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK

171,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8

15,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
28,4нКл
Корпус:
PowerDI3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA

336,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
10,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В