Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 500В; 8А; Idm: 32А; 65Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: P8F50HP2-5600
41,18 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: P8F50HP2-5600
Виробник: SHINDENGEN
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Заряд затвора: 15нКл
Корпус: FTO-220AG (SC91)
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 500В
Опір в стані провідності: 1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 65Вт
Струм стока: 8А
Струм стоку в імпульсі: 32А
Технологія: Hi-PotMOS2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; PS; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 150Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; PS; 500В; -55÷155°C

6,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
1кВ
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; Iконтактів max: 2А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; Iконтактів max: 2А

150,79 грн

Виводи:
для друку
Електрична стійкість:
50000 цикли
Зовнішні розміри:
10,6x7,2x5,4мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷200А; 40÷72Гц; Довжина: 97мм; EA19
Амперметр; на панель; I AC: 0÷200А; 40÷72Гц; Довжина: 97мм; EA19

1898,13 грн

Вимір:
струму AC
Властивості шкали:
робоче положення 90°
Довжина шкали:
97мм
електричне перевантаження:
max 300А
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 3; THT; straight
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 3; THT; straight

15,27 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина відводів:
3мм
Довжина контакту:
2мм
Недоступний
Резистор: thick film; 511кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 511кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,4пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO251

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 24А; Idm: 96А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 24А; Idm: 96А; 34Вт; TO220FP

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
41,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 9,6А; Idm: 39А; 34Вт; TO220FP

176,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 51А; 208Вт; TO220AB

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 650В; 4,4А; Idm: 28А

116,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12,5нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; польовий; 100В; 120А; Idm: 720А

236,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO220-3