Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

Name: Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Brand: SHINDENGEN
SKU: P7F60HP2-5600
Price: 42.45 UAH
Availability: InStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Термін постачання: 3 тижні

Код товару: P7F60HP2-5600

42,45 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

P7F60HP2-5600

Виробник:

SHINDENGEN

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

розсипний

Заряд затвора:

19нКл

Корпус:

FTO-220AG (SC91)

Монтаж:

THT

Напруга затвор-джерело:

±30В

Напруга сток-джерело:

600В

Опір в стані провідності:

1,05Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

79Вт

Струм стока:

7А

Струм стоку в імпульсі:

28А

Технологія:

Hi-PotMOS2

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна

Заряд затвора:
269нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
25,3нКл

Корпус:
TO220-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220AB

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
14нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247AC

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO220-3

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Модель:
ESD