Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; Idm: 136А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STP45N60DM2AG
325,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP45N60DM2AG
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 56нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 93мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 21А
Струм стоку в імпульсі: 136А
Технологія: MDmesh™ DM2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Трансформатор: струмовий; Iвх: 300А; Iвих: 5А; Клас: 0,5; 45÷65Гц
Трансформатор: струмовий; Iвх: 300А; Iвих: 5А; Клас: 0,5; 45÷65Гц

2322,61 грн

Вихідний струм:
5А
Відповідність стандарту:
EN 61869-2
Вхідний струм:
300А
Діаметр:
41мм
Недоступний
Резистор: thin film; 150Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%
Резистор: thin film; 150Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,01%

65,26 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,01%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Елемент підсвічування; 22мм; 45; на задню стінку; зелений
Елемент підсвічування; 22мм; 45; на задню стінку; зелений

1523,70 грн

Виводи:
гвинтові виводи
Застосування - серія/виробник:
45
Колір індикатора:
зелений
Монтаж:
на задню стінку
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 7,2ВDC; Iвих: 833мА
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 7,2ВDC; Iвих: 833мА

903,45 грн

Вихідна напруга:
7,2В DC
Вихідний струм:
0,833А
Вхідна напруга:
9...18В DC
Зовнішні розміри:
31,8x20,3x10,2мм
Недоступний
Резистор: thick film; 2,55кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 2,55кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

2,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,8пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 590Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 590Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
590Ом
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А

95,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB

140,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; польовий; 250В; 28А; Idm: 180А

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
68,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ F2; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

270,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ S; польовий; 800В; 8,4А; Idm: 56А; 183Вт

343,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
31нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 140А; Idm: 314А; 714Вт

1828,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
224нКл