1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; польовий; 600В; 24А; Idm: 140А

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; польовий; 600В; 24А; Idm: 140А
Немає в наявності
Код товару: STWA65N60DM6
375,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STWA65N60DM6
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 54нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 71мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: 24А
Струм стоку в імпульсі: 140А
Технологія: MDmesh™ DM6
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 137Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 137Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: компаратор; low-power; Cmp: 1; 4мкс; 1,6÷5,5В; SMT; SOT23-5
IC: компаратор; low-power; Cmp: 1; 4мкс; 1,6÷5,5В; SMT; SOT23-5

15,59 грн

Вид виходу:
push-pull
Вид компаратора:
low-power
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вхідна напруга зміщення нуля:
7мВ
Недоступний
Резистор: thick film; 5,9Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 5,9Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 390мкГн; 80мА; R: 6,9Ом; ±5%; LQH; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 1812; 390мкГн; 80мА; R: 6,9Ом; ±5%; LQH; 180мм

7,73 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
0,39мГн
Корпус - дюйм:
1812
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,7пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,57 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,7пФ
Недоступний
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий; Ch: 1; CMOS; SMD; SC70; -40÷85°C
IC: цифровий; буфер,неінвертуючий; Ch: 1; CMOS; SMD; SC70; -40÷85°C

10,77 грн

Вид входу:
з тригером Шмітта
Вид об'єднаної схеми:
буфер; неінвертуючий
Вид упаковки:
cтрічка; котушка
Кількість каналів:
1
Контактор: 4-полюсний; NO x4; 24÷60ВAC,20÷60ВDC; 16А; AF
Контактор: 4-полюсний; NO x4; 24÷60ВAC,20÷60ВDC; 16А; AF

3897,62 грн

Конфігурація контактів:
NO x4
Монтаж:
на панель; на шину DIN
Напруга управління:
20...60В DC; 24...60В AC
Серія виробника:
AF
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 33А; 36Вт
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 33А; 36Вт

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; TO247

235,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
180нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3А; Idm: 12А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3А; Idm: 12А; 20Вт; TO220FP

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,4А; Idm: 25,6А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,4А; Idm: 25,6А; 125Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

199,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1,2кВ; 7,6А; Idm: 48А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1,2кВ; 7,6А; Idm: 48А

433,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 112А; Idm: 480А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 112А; Idm: 480А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220-3