1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 26,5А; Idm: 168А

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M5; польовий; 650В; 26,5А; Idm: 168А
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STP57N65M5
484,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP57N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 98нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 650В
Опір в стані провідності: 63мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 26,5А
Струм стоку в імпульсі: 168А
Технологія: MDmesh™ M5
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Стрічка FFC; луджений; 500мА; 60В; FFC5-TIN; Р.стрічки: 0,5мм
Стрічка FFC; луджений; 500мА; 60В; FFC5-TIN; Р.стрічки: 0,5мм

33,71 грн

Властивості з’єднувального кабелю:
контакти з протилежного боку
Довжина:
50мм
Номінальна напруга:
60В
Номінальний струм:
0,5А
Недоступний
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 1206; 1Вт; ±5%; SG73P; 200В
Резистор: thick film; 1,2Ом; SMD; 1206; 1Вт; ±5%; SG73P; 200В

0,58 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 36,5Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В
Резистор: thick film; 36,5Ом; SMD; 4527; 6Вт; ±1%; SP; 300В

29,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
600В
Корпус - дюйм:
4527
Корпус - мм:
1267
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 4,5ВDC; DPDT; 2А; 0,5A/125ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 4,5ВDC; DPDT; 2А; 0,5A/125ВAC

182,46 грн

Зовнішні розміри:
10x6x5,65мм
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
2А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,7пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

6,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,7пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
10000шт.
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 25В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 25В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,25 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
269нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD