Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STW26NM60N
392,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STW26NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 135мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 140Вт
Струм стока: 12,6А
Технологія: MDmesh™ II
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 100нФ; ±10%; SMD; 2211; 2,794мм
Конденсатор: керамічний; 100нФ; ±10%; SMD; 2211; 2,794мм

0,00 грн

Властивості конденсаторів:
soft termination
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Корпус - дюйм:
2211
Недоступний
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; ERJ3RED
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; ERJ3RED

0,82 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±5%; SP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 20Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±5%; SP; 200В; -55÷155°C

5,51 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 33А; 36Вт
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 33А; 36Вт

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; TO247

235,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
180нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3А; Idm: 12А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3А; Idm: 12А; 20Вт; TO220FP

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,4А; Idm: 25,6А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,4А; Idm: 25,6А; 125Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

199,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1,2кВ; 7,6А; Idm: 48А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1,2кВ; 7,6А; Idm: 48А

433,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 112А; Idm: 480А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 112А; Idm: 480А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220-3