1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 22А; Idm: 136А

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 600В; 22А; Idm: 136А
Немає в наявності
Код товару: STP42N60M2-EP
368,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP42N60M2-EP
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 55нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: 600В
Опір в стані провідності: 87мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 22А
Струм стоку в імпульсі: 136А
Технологія: MDmesh™ M2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 2,74Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 2,74Ом; 2512; 1Вт; ±1%; CRT; -55÷155°C; 2А

1,20 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
2,74Ом
Резистор: thick film; 140кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 140кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Корпус для з’єднувачів: HDC; розмір 24В; на панель; IP65; прямий
Корпус для з’єднувачів: HDC; розмір 24В; на панель; IP65; прямий

1761,28 грн

Застосування - серія/виробник:
Han® B; Rear Fit
Клас герметичності:
IP65
Корпус:
розмір 24В
Кріплення вкладки:
104x27мм
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: 2-провідний NC; 0÷6мм; 10÷30ВDC; M8; 5м
Датчик: індуктивний; OUT: 2-провідний NC; 0÷6мм; 10÷30ВDC; M8; 5м

4417,77 грн

Дальність:
0...6мм
Довжина відводів:
5м
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
2-провідний NC
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 180мкГн; 120мА; R: 4,5Ом; ±20%
Реактор: дротяний; SMD; 180мкГн; 120мА; R: 4,5Ом; ±20%

11,28 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,18мГн
Монтаж:
SMD
Опір:
4,5Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 165кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 165кОм; SMD; 0603; 60мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; 60А; HFKF; 900мВт
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; 60А; HFKF; 900мВт

98,83 грн

Виводи:
до лютування
Електрична стійкість:
100000 цикли
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
60А
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
269нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD