Транзистор: N-MOSFET; N; 1,2кВ; 3А; Idm: 3А; 200Вт; D2PAK,TO263AB

Немає в наявності
Код товару: IXTA3N120-TRL
278,13 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: IXTA3N120-TRL
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 42нКл
Корпус: D2PAK; TO263AB
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 4,5Ом
Поляризація: N
Потужність розсіювання: 200Вт
Струм стока: 3А
Струм стоку в імпульсі: 3А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 700нс
Недоступний
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 16А; Полюси: 2; 10кА
Вимикач максимального струму; 400ВAC; Iном: 16А; Полюси: 2; 10кА

1372,91 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Електрична стійкість:
10000 цикли
Кількість полюсів:
2
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 200В; 1А; 780нс; DO220AA,SMP; Ufmax: 1,1В
Діод: випрямний; SMD; 200В; 1А; 780нс; DO220AA,SMP; Ufmax: 1,1В

5,58 грн

Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
DO220AA; SMP
Монтаж:
SMD
Пряма напруга макс.:
1,1В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0805

1,91 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±5%; AS; 150В
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±5%; AS; 150В

1,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; HP; 200В; -55÷155°C

2,01 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Роз’єм: живлення DC; роз'єм живлення; 0,12кА; 0,6кВ; прямий
Роз’єм: живлення DC; роз'єм живлення; 0,12кА; 0,6кВ; прямий

937,03 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Матеріал контакту:
сплав міді
Номінальна напруга:
0,6кВ
Номінальний струм:
0,12кА
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 0603

3,18 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET

470,73 грн

Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; 40В; 120А; 127Вт; PowerFLAT 5x6
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™; 40В; 120А; 127Вт; PowerFLAT 5x6

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
PowerFLAT 5x6
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 34А; 192Вт

233,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
41нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 86А; автомобільна галузь

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 14А; 48Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 14А; 48Вт; DPAK

75,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
40нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,6А; 2Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 0,6А; 2Вт; TSOP6

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 20А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 20А; 2,5Вт; SO8

82,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD