Транзистор: N-MOSFET; N; 100В; 160А; 430Вт; TO247-3; 100нс

Немає в наявності
Код товару: IXTH160N10T
233,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 300
Крок додавання: 300
Код товару: IXTH160N10T
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 132нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: 30В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 7мОм
Поляризація: N
Потужність розсіювання: 430Вт
Струм стока: 160А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 100нс
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 62; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 62; SMT; straight

205,90 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10,4мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPST-NO; 40А; макс.600ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPST-NO; 40А; макс.600ВAC

271,79 грн

Зовнішні розміри:
52,6x34,8x26,4мм
Конфігурація контактів:
DPST-NO
Макс. струм контактів:
40А
Матеріал контакту:
AgSnO2
Резистор: thin film; 1,37кОм; SMD; 0402; 130мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 1,37кОм; SMD; 0402; 130мВт; ±0,1%; -55÷155°C

1,76 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 75В; -55÷155°C

1,20 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 470Ом; 0402; 100мВт; ±5%; ERJ2GEJ; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 470Ом; 0402; 100мВт; ±5%; ERJ2GEJ; 200ppm/°C

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А

95,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB

140,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

214,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

157,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А

241,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO262
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 25А; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 25А; TO247-3

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT