Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; 900В; 8А; 130Вт; D2PAK

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STB8N90K5
94,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: STB8N90K5
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 11нКл
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 900В
Потужність розсіювання: 130Вт
Струм стока: 8А
Технологія: MDmesh™ K5
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 152В; 6,8А; односпрямована; DO13; Ch: 1; -65÷175°C
Діод: TVS; 1,5кВт; 152В; 6,8А; односпрямована; DO13; Ch: 1; -65÷175°C

4865,69 грн

Зворотна напруга макс.:
136В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO13
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 620Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 620Ом; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

3,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; Ch: 4; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC; SO14; 9мВ
IC: Oпераційний підсилювач; Ch: 4; ±1,5÷16ВDC,3÷32ВDC; SO14; 9мВ

0,00 грн

Вхідна напруга зміщення нуля:
9мВ
Діапазон напруги живлення:
± 1,5...16В DC; 3...32В DC
Кількість каналів:
quad; 4
Корпус:
SO14
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 300МГц; Архітектура: Cortex M7; 1МБFLASH
IC: мікроконтролер ARM; 300МГц; Архітектура: Cortex M7; 1МБFLASH

701,34 грн

Вид архітектури:
Cortex M7
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; PoR; PWM
Інтерфейс:
CAN x2; EBI; EMI; Ethernet; I2C; I2C x3; IrDA; MMC; QSPI; UART; USART; USB
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; ON-(ON); V; IP40; -25÷80°C; 4Н
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; ON-(ON); V; IP40; -25÷80°C; 4Н

163,46 грн

Виводи:
термінал швидкого підключення
Клас герметичності:
IP40
Конфігурація контактів:
SPDT
Монтаж:
на панель
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; I2C; 256x8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц; SO8
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; I2C; 256x8бит; 2,5÷5,5В; 400кГц; SO8

18,18 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
Кількість циклів макс.:
1м
Недоступний
Резистор: thick film; 39,2кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 39,2кОм; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C

5,07 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
39,2кОм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 119А; 140Вт; DPAK

83,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 36А; 3,8Вт; D2PAK

108,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 63А; 140Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 63А; 140Вт; DPAK

105,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
DPAK