Транзистор: N-MOSFET; NextPowerS3; польовий; 40В; 42А; Idm: 239А

Немає в наявності
Код товару: PSMN8R5-40MLDX
28,51 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PSMN8R5-40MLDX
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 27нКл
Корпус: LFPAK33; SOT1210
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Опір в стані провідності: 21,4мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 59Вт
Струм стока: 42А
Струм стоку в імпульсі: 239А
Технологія: NextPowerS3
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 250В; X7T; ±10%; THT; 5мм; 5,5x5x4мм
Конденсатор: керамічний; 100нФ; 250В; X7T; ±10%; THT; 5мм; 5,5x5x4мм

8,55 грн

Діелектрик:
X7T
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Діод: зенера; 5Вт; 10В; SMD; 25мкА
Діод: зенера; 5Вт; 10В; SMD; 25мкА

1258,87 грн

Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
10В
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
5Вт
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 2; THT; 1.5A

17,74 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
5мм
Недоступний
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷18мм; 10÷30ВDC; M30; 2м; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: NPN / NO; 0÷18мм; 10÷30ВDC; M30; 2м; IP67

4083,89 грн

Дальність:
0...18мм
Довжина відводів:
2м
Клас герметичності:
IP67
Конфігурація виходу:
NPN / NO
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 200В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 200В; 100А; Idm: 400А

1163,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
330нКл
Корпус:
TO264
Недоступний
Індикаторна лампа; 230ВAC; зелений
Індикаторна лампа; 230ВAC; зелений

582,24 грн

Використання:
автоматичні вимикачі захисту двигуна MS18
Колір:
зелений
Номінальна напруга:
230В AC
Тип аксесуарів, що підключаються:
індикаторна лампа
Недоступний
IC: цифровий; мультіплексор; Ch: 1; IN: 2; THT; DIP16; HCT; -55÷125°C
IC: цифровий; мультіплексор; Ch: 1; IN: 2; THT; DIP16; HCT; -55÷125°C

23,38 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид входу:
single-ended
Вид об'єднаної схеми:
мультіплексор
Кількість виходів:
1
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK