Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3

Немає в наявності
Код товару: IPI030N10N3GXKSA1
242,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPI030N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO262-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 100А
Технологія: OptiMOS™ 3
Тип транзистора: N-MOSFET
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; 12÷48ВDC,72ВDC; 15кА
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; 12÷48ВDC,72ВDC; 15кА

1765,08 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
15кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1; IEC EN 60947-2
Електрична стійкість:
10000 цикли
Кількість полюсів:
1
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; THT; 3A; 250V

91,87 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
15,6мм
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 8кбEEPROM; I2C; 1Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; TSSOP8
IC: пам'ять EEPROM; 8кбEEPROM; I2C; 1Кx8бит; 1,7÷5,5В; 1МГц; TSSOP8

22,17 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
Кількість циклів макс.:
1м
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 13; THT; 3A; 250V

136,21 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,2нФ; 100В; U2J; ±5%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,2нФ; 100В; U2J; ±5%; SMD; 0603

2,33 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 10бит; 40Мsps; 4,75÷5,25В; SSOP28
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 10бит; 40Мsps; 4,75÷5,25В; SSOP28

0,00 грн

Max DNL:
±1LSB
Max INL:
±2LSB
Вид входу:
differential; single-ended
Інтерфейс:
parallel
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 330мкФ; 250ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 330мкФ; 250ВDC; ±20%

136,85 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
40мм
Властивості конденсаторів:
великий імпульсний струм; висока довговічність
Діаметр:
18мм
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 33А; 36Вт
Транзистор: N-MOSFET; SJ-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 33А; 36Вт

219,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 300В; 60А; TO247

235,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
180нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3А; Idm: 12А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3А; Idm: 12А; 20Вт; TO220FP

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,4А; Idm: 25,6А; 125Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,4А; Idm: 25,6А; 125Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
41нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 10,5А; Idm: 40А

199,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1,2кВ; 7,6А; Idm: 48А
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1,2кВ; 7,6А; Idm: 48А

433,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44,2нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 112А; Idm: 480А
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ H6; польовий; 30В; 112А; Idm: 480А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220-3