Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 11,2А; Idm: 50А; 5Вт; SO8

Немає в наявності
Код товару: FDS86140
98,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: FDS86140
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 29нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 9,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 5Вт
Струм стока: 11,2А
Струм стоку в імпульсі: 50А
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: керамічний; 1,5пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; 1,5пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,12 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,5пФ
Корпус - мм:
0603
Монтаж:
SMD
Недоступний
IC: аудіопідсилювач; Pвих: 1Вт; 2,7÷5,5ВDC; Ch: 1; Клас підсил: AB
IC: аудіопідсилювач; Pвих: 1Вт; 2,7÷5,5ВDC; Ch: 1; Клас підсил: AB

38,65 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Вихідна потужність:
1Вт
Властивості інтегральних мікросхем:
mono full-bridge: Bridge Tied Load (BTL)
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 70; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 70; THT; 3A; 250V

462,49 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Конденсатор: поліпропиленовий; Y2; R41; 10нФ; 1кВDC; 300ВAC; THT
Конденсатор: поліпропиленовий; Y2; R41; 10нФ; 1кВDC; 300ВAC; THT

37,38 грн

Вид конденсатора:
Y2
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Довжина відводів:
3,2мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 90,9Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 90,9Ом; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

7,98 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2.3mm; GKS-912; steel; 5N; plug-in
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 2.3mm; GKS-912; steel; 5N; plug-in

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
самоочищення
Діаметр наконечника:
2,3мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 0402; 178мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47нФ; 16В; X5R; ±10%; SMD; 0402; 178мм

0,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 162А; 200Вт; D2PAK

122,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD