Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 120А; 313Вт; PG-TO263-3

Немає в наявності
Код товару: IPB020N10N5LF
178,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: IPB020N10N5LF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO263-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 313Вт
Струм стока: 120А
Технологія: OptiMOS™ 5
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 4mm; GKS-113; CuBe; 0.3N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 4mm; GKS-113; CuBe; 0.3N; push-in; 30mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
4мм
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 14А; 78Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; Idm: 14А; 78Вт; TO252

33,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO252
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 32А; Полюси: 2
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 32А; Полюси: 2

1586,42 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Кількість полюсів:
2
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: thin film; 150кОм; 1206; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 150кОм; 1206; 250мВт; ±0,1%; ARM-A; 25ppm/°C

2,51 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
150кОм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 0,22А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 0,22А; 0,35Вт; SOT23

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
0,7нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,765А
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,765А

2,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,9нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK

240,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK

103,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,4нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь

729,22 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
PG-HDSOP-16
Монтаж:
SMD