Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 16А; 73Вт; PQFN8

Немає в наявності
Код товару: FDMS86104
65,89 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: FDMS86104
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 16нКл
Корпус: PQFN8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 40мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 73Вт
Струм стока: 16А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 45мкГн; 2А; R: 70мОм; -25÷105°C
Реактор: дротяний; THT; 45мкГн; 2А; R: 70мОм; -25÷105°C

103,27 грн

Індуктивність:
45мкГн
Монтаж:
THT
Опір:
70мОм
Робоча температура:
-25...105°C
Недоступний
Роз’єм: BNC; вилка; штекерний; коаксіальний; прямий; 93Ом; POM
Роз’єм: BNC; вилка; штекерний; коаксіальний; прямий; 93Ом; POM

244,55 грн

Connector family:
коаксіальний
Вид роз’єму:
штекерний
Матеріал ізоляції:
POM
Матеріал контакту:
латунь
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 80В; 4,7А; Idm: 20А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 80В; 4,7А; Idm: 20А; 2Вт; SO8

152,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
SO8
Роз’єм: провід-плата; гніздо; штекерний; PIN: 30; прямий; SMT; 1мм
Роз’єм: провід-плата; гніздо; штекерний; PIN: 30; прямий; SMT; 1мм

113,41 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
30
Механічний монтаж:
для проводу
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 56нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0805

1,49 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Індикатор: LED; опукла; червоний; 2ВDC; Ø8мм; MPC; проводи; 150мм
Індикатор: LED; опукла; червоний; 2ВDC; Ø8мм; MPC; проводи; 150мм

152,05 грн

Виводи:
проводи
Вид індикатора:
опукла
Діаметр діода ДУВ:
5мм
Довжина відводів:
0,15м
IC: мікропроцесор ARM; ARM926; 0,9÷1,1ВDC; SMD; LFBGA217; 32кБSRAM
IC: мікропроцесор ARM; ARM926; 0,9÷1,1ВDC; SMD; LFBGA217; 32кБSRAM

669,03 грн

Вид архітектури:
ARM926
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
мікросхема watchdog
Інтерфейс:
CAN x2; DBGU; Ethernet; FLEXCOM x11; MCI x2; SSC; USB x3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 9,4А; 4,12Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 9,4А; 4,12Вт; TO252

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,6А; Idm: 22А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,6А; Idm: 22А; 1,25Вт; SOT23

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,22А; Idm: 0,88А; 0,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,22А; Idm: 0,88А; 0,2Вт

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,1нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 5А; 42Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 5А; 42Вт; TO252

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,9А; SOT23

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,2А; Idm: 13А; 1,1Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,2А; Idm: 13А; 1,1Вт; SOT23

19,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; Idm: 46А; 2,8Вт; SOP8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; Idm: 46А; 2,8Вт; SOP8

28,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
SOP8