Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 39А; Idm: 58А; 3,7Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: DMNH10H028SK3-13
46,25 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: DMNH10H028SK3-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора: 36нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 28мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,7Вт
Струм стока: 39А
Струм стоку в імпульсі: 58А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷5м; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON
Датчик: фотоелектричний; Дальність: 0÷5м; NPN; DARK-ON,LIGHT-ON

3198,18 грн

Властивості датчиків:
Рефлектор достарчається з датчиком.
Дальність:
0...5м
Зовнішні розміри:
11,2x31x20мм
Кількість пін:
4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 1206

0,98 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
18нФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,3пФ
Стрічка FFC; 60В; Р.стрічки: 1,25мм; Жили: 20; L: 152мм; -40÷105°C
Стрічка FFC; 60В; Р.стрічки: 1,25мм; Жили: 20; L: 152мм; -40÷105°C

165,36 грн

Властивості з’єднувального кабелю:
контакти з одного боку
Довжина:
152мм
Номінальна напруга:
60В
Растр стрічки:
1,25мм
Недоступний
Вентилятор: DC; 120x120x25мм; осьовий; 12ВDC; 99,6м3/г; 24дБА
Вентилятор: DC; 120x120x25мм; осьовий; 12ВDC; 99,6м3/г; 24дБА

982,01 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
осьовий
Вид матеріалу:
що самогаситься
Вид підшипника:
кульковий
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 28; THT; 1.5A

256,59 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,79 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,7пФ
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 60А; 48Вт; PowerPAK® SO8

55,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET
1,2кВ; SiC; Модуль: транзисторний MOSFET

5574,64 грн

Напруга сток-джерело:
1,2кВ
Технологія:
SiC
Тип напівпровідникового модуля:
транзисторний MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 40В; 278Вт; PowerPAK® SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
105нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2,7А; 1,25Вт; SOT23

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 5,8А; 1,25Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,4нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,35А; Idm: 1А; 0,5Вт

3,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,3нКл
Корпус:
SOT26; SOT457
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 8А; 2Вт; MPT3

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5нКл
Корпус:
MPT3