Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 70А; 85Вт; DPAK,TO252

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 70А; 85Вт; DPAK,TO252
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD85N10F7AG
Price: 47.52 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: STD85N10F7AG

47,52 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

STD85N10F7AG

Виробник:

STMicroelectronics

Вид каналу:

збагачений

Використання:

автомобільна галузь

Заряд затвора:

45нКл

Корпус:

DPAK; TO252

Монтаж:

SMD

Напруга сток-джерело:

100В

Опір в стані провідності:

10мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

85Вт

Струм стока:

70А

Тип транзистора:

N-MOSFET

Переглянуті товари

Бажані

Модуль: LTE; Down: 300Мбіт/с; Up: 50Мбіт/с; LGA; 37x39,5x2,8мм

2581,10 грн

Transfer downlink:
300Мбіт/с

Transfer uplink:
50Мбіт/с

Інтерфейс:
ADC; GPIO; I2C; PCIe; PCM; SDIO; SIM; SPI; UART

Комунікаційний протокол:
DHCP; IPv4; IPv6; QMI; RNDIS; TCP; UDP

Бажані

Діод: TVS; 600Вт; 12В; 36А; односпрямована; ±5%; SMB; ролик,cтрічка

46,88 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Допуск:
±5%

Зворотна напруга макс.:
10,2В

Корпус:
SMB

Недоступний

Бажані

Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; THT; 3A; 250V

516,98 грн

Connector family:
data

Вид роз’єму:
штекерний

Вид упаковки:
розсипний

Електричний монтаж:
THT

Недоступний

Бажані

IC: Oпераційний підсилювач; 3,5МГц; Ch: 2; 4,5÷40ВDC; SO8; 0,35мВ

39,28 грн

Використання:
автомобільна галузь

Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output

Вхідна напруга зміщення нуля:
0,35мВ

Вхідний поляризаційний струм:
10пА

Недоступний

Бажані

Tip: desoldering; 0.6x1mm

764,07 грн

Застосування паяльного обладнання:
для відпайки; для чищення контактних майданчиків

Розміри наконечника:
0,6x1мм

Супутні товари:
JBC-DS-A; JBC-DSS-2D

Тип наконечника:
desoldering

Недоступний

Бажані

Резистор: thick film; 8,66кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%

Імпульсна макс. напруга:
500В

Корпус - дюйм:
2817

Корпус - мм:
7142

Недоступний

Бажані

IC: цифровий потенціометр; SPI; QFN20; SMD; туба

84,26 грн

Вид пам’яті:
енергозал.

Вид упаковки:
туба

Інтерфейс:
SPI

Корпус:
QFN20

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

775,47 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Властивості напівпровідникових елементів:
SMT Top Side Cooling; виведення Кельвіна

Заряд затвора:
115нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 100мА; 0,15Вт; SOT523; ESD

14,30 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
SOT523

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 10А; 0,4Вт; SOT23-3

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
8,6нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 1,4А; Idm: 8,8А; 2,8Вт

5,70 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
12нКл

Корпус:
SOT23-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 4А; Idm: 28А; 1Вт; SOT23

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
13нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; Idm: 565А; 211Вт

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
70,8нКл

Корпус:
D2PAK; SOT404

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 61А; Idm: 245А; 48Вт

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
7,9нКл

Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669